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型号 IPD60R750E6
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
IPD60R750E6 PDF
代理商 IPD60R750E6
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装 1
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 750 毫欧 @ 2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 170µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 17.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 373pF @ 100V
功率 - 最大 48W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 标准包装
其它名称 IPD60R750E6DKR
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